— Transistor-Messzelle (1)

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Betrachten Sie die folgende Abbildung:

L ist eine Leitfähigkeitsmesszelle, mit der der Widerstand ionischer Lösungen untersucht wird. Sie enthält zwei Metallplatten, die von einer Lösung umgeben sind, deren Leitfähigkeit bestimmt werden soll. R2=\(10\;{\rm k\Omega}\), R3=\(1\;{\rm k\Omega}\). Die Zelle L wird zunächst mit Reinstwasser gefüllt. Der elektrische Widerstand in der Zelle L beträgt \(R_L = 1,0 \cdot 10^6\;\Omega\). Wie groß ist die Basisvorspannung an T1 (also der Spannungsabfall an R2)?

   Die Basisvorspannung beträgt:   

(A)\(\approx 2,97\;{\rm V}\); der Transistor leitet und an \(R3\) fällt eine erhebliche Spannung ab. (B)\(\approx 30\;{\rm mV}\); der Transistor leitet und an \(R3\) fällt eine erhebliche Spannung ab. (C)\(\approx 2,97\;{\rm V}\); der Transistor sperrt und an \(R3\) fällt praktisch keine Spannung ab. (D)\(\approx 30\;{\rm mV}\); der Transistor sperrt und an \(R3\) fällt praktisch keine Spannung ab.